东芝与索尼日前联合开发出了可同时提高nMOS晶体管和pMOS晶体管的驱动能力、面向45nm工艺的应变硅技术。将晶圆在水平方向上旋转45度后，在栅极上部形成SiN膜，在通道部分施加拉伸应变就可以完成，因此，采用与普通CMOS技术几乎相同的工序即可生产。这是在2004年12月13日于美国旧金山开幕的国际设备技术研讨会“IEDM（International Electron Devices Meeting） 2004”上发表的，演讲序号为9.3。 　　此次开发的技术，将普通晶体管的通道方向＜110＞＝晶圆上沿水平方向旋转45度，采用了＜100＞方向的通道。当向＜100＞方向的通道通过SiN膜的覆盖层施加拉伸力时，可将pMOS的驱动能力维持在未施加应力时的水平上，而同时可仅将nMOS的驱动能力提高大约10%。普通通道方向为＜100＞的pMOS的驱动能力与普通采用＜100＞方向通道的产品相比，可提高大约20%，因此，采用此次的技术可同时提高pMOS和nMOS的驱动能力。此外，因为硅晶圆表面的方向一般为＜100＞，“只需让晶圆厂商将表示通道方向的切口位置调整45度即可。”（东芝与索尼） 　　可同时提高nMOS晶体管和pMOS晶体管驱动能力的应变硅技术此前就曾有人提出过。不过，为提高nMOS和pMOS的载流子迁移率而施加的应力的方向是相反的，因此，nMOS和pMOS需要分别选择不同的技术才能应用，这样一来，成本过大就成了一大问题。

東芝とソニーは，nMOSトランジスタとpMOSトランジスタの駆動能力を同時に高めることが可能な45nm世代向けのひずみSi技術を共同開発した。ウエハーを水平方向の45度回転させた上で，ゲート電極の上部にSiN膜を形成し，チャネル部に引っ張りひずみを与えるだけで済むため，通常のCMOS技術とほぼ同じ工程で製造できる。2004年12月13日から米国サンフランシスコで開催中のデバイス技術の国際学会「IEDM（International Electron Devices Meeting） 2004」で発表した。講演番号は9.3。 　今回の技術では，一般的なトランジスタにおけるチャネル方向＜110＞をウエハー上で水平方向に45度回転させ，＜100＞方向のチャネルを用いた。この＜100＞方向のチャネルに対し，SiN膜のキャップ層によって引っ張り応力を与えると，pMOSの駆動能力はひずみを加えない場合と同程度を維持したまま，nMOSの駆動能力だけを約10％高められたという。一般にチャネル方向が＜100＞のpMOSの駆動能力は，通常の＜110＞方向のチャネルと比べて約20％向上するため，今回の技術を用いることでpMOSとnMOSの両方の駆動能力を向上できることになる。なお，Siウエハの面方位は一般的な（100）面のままであるため，「ウエハー・メーカーには，チャネル方向を示す印であるノッチの位置を45度変えてもらうだけですむ」（同社）という。 　nMOSトランジスタとpMOSトランジスタの駆動能力を同時に向上させるひずみSi技術は従来から提案があった。しかし，nMOSとpMOSとではキャリアの移動度を向上するための応力方向が逆になるため，nMOSとpMOSとでそれぞれ別々の技術を選択的に適用する必要があり，コストがかさんでしまうのが課題だった。