美国AMD与美国IBM日前开发成功了旨在提高晶体管运行速度、降低耗电的基于应变硅技术的新生产技术“Dual Stress Liner”。这是两公司在当地时间12月13日宣布的。耗电与现有同级别晶体管相同，运行速度最大可提高24%。 　　LSI内的晶体管越微细化，运行速度就越高。但同时也会引发泄漏电流增加、开关效率降低，从而导致耗电和发热量的增加。 　　Dual Stress Liner通过向晶体管的硅层施加应力，同时实现了速度的提高与耗电量的降低。在施加应力时，通过分别使用拉伸和压缩方法，提高了n型和p型两种晶体管的性能。“使用现有材料实现一个LSI上的两种晶体管的性能提高，这在业界尚属首次”（两公司）。 　　由于在生产时无需使用新的生产方法，所以使用标准生产设备和材料便可迅速展开量产。另外，配合使用硅绝缘膜构造（SOI，绝缘体上硅）与应变硅，还可生产性能更高、耗电更低的晶体管。 　　AMD将在包括预定发布的多内核AMD64处理器在内的采用90nm工艺的全部LSI上，分阶段采用该技术。IBM将在包括基于Power Architecture的处理器在内的多种90nm产品上，采用该技术。两公司均计划2005年上半年开始供应支持产品。 　　两公司在12月13日～15日于加利福尼亚州旧金山召开的2004年国际电子器件会议（2004 IEEE International Electron Devices Meeting）上发布该技术的详细情况。 　　另外，在该技术的开发中，除AMD和IBM外，索尼及东芝也参与了合作。

米AMDと米IBMは，トランジスタの動作速度向上／消費電力低減を図るストレインド・シリコン技術ベースの新しい製造技術「Dual Stress Liner」を開発した。両社が米国時間12月13日に明らかにしたもの。現行の同等トランジスタと同程度の消費電力で，動作速度を最大24％高速化できるという。 　LSI内のトランジスタを微細化すると，動作速度が向上する。その反面，漏れ電流の増加とスイッチング効率の低下により，消費電力が上がり，発熱量も増えてしまう。 　Dual Stress Linerでは，トランジスタのシリコン層をひずませて速度向上と消費電力低減を両立させた。ひずませる際に，引き伸ばす手法と圧縮する手法を使い分けることで，n型とp型の両タイプのトランジスタで性能を高められる。「既存の材料を使い，1個のLSI内にある両タイプのトランジスタの性能向上を実現できたのは，これが業界で初めて」（両社） 　製造時に新しい生産手法を必要としないので，標準的な生産設備と材料を使って迅速に量産を開始できる。さらに，シリコン／絶縁膜構造（SOI）とストレインド・シリコンを組み合わせ，より高性能／低消費電力のトランジスタ製造も可能という。 　AMD社は，将来リリース予定のマルチ・コアAMD64プロセサを含む90nmプロセス・ルールの全LSIで，段階的に同技術を採用していく。IBM社は，Power Architectureベースのプロセサを含む複数製品の90nm版で，同技術を使用する。両社とも，2005年前半に対応製品を出荷開始する予定。 　両社は，同技術の詳細を，12月13～15日にカリフォルニア州サンフランシスコで開催される2004 IEEE International Electron Devices Meetingで発表する。 　なお同技術の開発には，AMD社とIBM社のほか，ソニーと東芝も協力した。