eNet硅谷动力消息据国外媒体报道，美国电脑芯片巨头英特尔公司周三宣布，他们即将向手机厂商交付同行业第一片基于六十五纳米工艺、采用多层单元存储技术的1G容量NOR闪存芯片。

　　这种NOR闪存芯片基于英特尔公司的StrataFlash架构，面向多媒体手机，比如百万像素的拍照手机、具有视频播放功能的手机等。

　　英特尔公司表示，他们已经把这种闪存芯片在手机行业常见的10种芯片组中进行了测试，发现工作正常。在接口方面，这款NOR闪存芯片和英特尔公司去年推出的基于九十纳米的512Mb闪存保持了兼容。

　　据业内专家表示，和九十纳米的芯片相比，六十纳米的芯片的读取速度已经从每秒0.5兆字节提升到1兆字节。这款芯片的读取性能也是所有NOR芯片当中最好的。

　　据悉，这款闪存芯片将在第四季度批量交付。明年，英特尔公司还将推出六十五纳米工艺的512M、128M、256MNOR闪存芯片。

　　和NAND闪存相比，NOR闪存的读取速度更快，但在写入速度方面NAND要快于NOR。NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。最近几年，NAND闪存逐渐变得普及，许多人认为，NOR闪存将逐渐被NAND替换，英特尔公司也和美观科技建立了NAND闪存合资公司。此前还有报道说，英特尔公司准备将NOR闪存业务转让他人。