日立制作所与瑞萨科技共同开发出了可同时减小PRAM的写入电流和特性变动的工艺。主要用于取代微控制器中混载的闪存，目标是3～4年内达到实用水平。两公司的目标是2010年前后使新PRAM达到实用水平。PRAM的开发商中，韩国三星电子将于08年左右投产旨在取代NOR型闪存的单个存储器。由于与单个存储器相比，混载需要与逻辑部分的特性相配合，因此“投产的难度还很大”（瑞萨）。
日立、コスト500億円削減 17年３月期 事業構造転換を加速日本女排联赛日立进决赛 东丽久光制药争决赛权日本福岛核电站泄漏核灾难清理 日本派出一波新机器人日本疯狂推销核电：拿下英国超级订单日本全力研发新型高铁：比中国更先进日立、海外で高速鉄道 18年めど時速300キロ超開発文科省、若手研究者と企業仲介 トヨタや日立など30社に日本福岛核电站泄漏核灾难清理 日本派出一波新机器人来清理
网友评论：（只显示最新10条。评论内容只代表网友观点，与本站立场无关！）
