冲电气工业日前使用SOS（silicon on sapphire，蓝宝石硅）技术，开发出了RF开关。与使用GaAs化合物半导体的现有开关相比，耗电量只有1/5，静电放电（ESD）耐压提高了3倍。该产品采用可根据2个天线的无线信号接收状况，合理切换信号的双刀双掷（double pole double throw：DPDT）结构，工作频率为3GHz。

利用SOS结构，同时实现低耗电、高耐压、低噪音

　　SOS技术是以“UTSi”为基础开发的技术。“UTSi”技术是由在2003年1月与冲电气建立合作关系的美国派更半导体公司（Peregrine Semiconductor Corp.）开发的。在蓝宝石底板上形成单晶硅薄膜，然后再利用CMOS工艺形成电路。作为采用具有良好绝缘性的蓝宝石的SOS底板，与硅底板和SOI（绝缘体上硅）底板相比，能够降低在底板上形成的电路耗电量。冲电气开发的RF开关的耗电电流仅为15μA（电源电压为2.5～3V），与使用GaAs材料的现有RF开关相比，耗电量降到了约1/5。

　　SOS技术还有2个优点。一是底板上形成的被动元件基本上不会产生寄生电容，因此能够减轻高频区的噪音。二是具有良好的耐受性，在生产过程中不易遭到静电放电的破坏。ESD耐压达2000V以上，约为GaAs类开关的4倍。

　　冲电气将于2005年10月面向手机等用途投产此次开发的RF开关。样品价格为150日元，销售目标为每月50万个。该公司在2005年10月4日～8日于日本千叶县幕张Messe会展中心举办的“CEATEC JAPAN 2005”展会上，展出了此次的产品。

沖電気工業は，SOS（silicon on sapphire）技術を使うRFスイッチを開発した。GaAs化合物半導体を使う既存のスイッチに比べて消費電力を1/5，静電気放電破壊（ESD）耐圧を4倍にできる。2つのアンテナの無線信号の受信状況に応じて信号を適宜切り替えられる2入力/2出力（double pole double throw：DPDT）構成をとり，動作周波数は3GHzである。

SOS構造で低電力，高耐圧，低雑音を両立

　SOS技術は，沖電気が2003年1月に提携を結んだ米Peregrine Semiconductor Corp. が開発した「UTSi」を基盤とする技術。サファイア基板上に単結晶Si膜を形成し，その上にCMOSプロセスによって回路を形成する。絶縁性に優れるサファイアを利用するSOS基板では，Si基板やSOI（silicon on insulator）基板に比べて，基板上に形成する回路の消費電力を低減できる。沖電気が開発したRFスイッチでは，消費電流値が15μA（電源電圧2.5～3V）とGaAsを使う従来のRFスイッチに比べて消費電力を約1/5に抑えた。

　この技術にはさらに二つのメリットがある。第1に，基板上に形成した受動素子による寄生容量がほとんど発生しないので高周波領域での雑音を削減できること，第2に，製造プロセス中に発生する静電気放電による素子破壊（ESD）への耐性が高いことである。ESD耐圧は2000V以上と，GaAsを使うスイッチの約4倍である。

　沖電気は携帯電話機などの用途に向け，今回開発したRFスイッチの量産を2005年10月に開始する。サンプル価格は150円で，50万個/月の出荷を目指す。同社は今回の製品を，2005年10月4～8日に千葉市の幕張メッセで開催される「CEATEC JAPAN 2005」で展示する。