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关闭窗口 日开发出高速大容量磁性随机存取内存
据当地媒体８日报道，新型ＭＲＡＭ的记忆容量为１６兆比特，存取数据的速度达每秒２００兆字节。另外，其电源电压仅为１．８伏特，达到现有同类存储器的最低值，便于在小型移动电器上安装使用。
在传统的ＭＲＡＭ中，需要有电流驱动线路产生用于存储数据的磁场，但这种线路会影响到数据的读取，导致ＭＲＡＭ的整体速度难以提高。新型ＭＲＡＭ改良了线路构造，将存储电流和读取电流分开，实现了数据的高速存取。
ＭＲＡＭ具有即使被切断电源其中存储的数据也不会丢失、可无限次改写、存取速度快等优点，但与动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）相比，其明显缺点是记忆容量小。
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