日本东北大学2016年3月21日宣布，开发成功了可超高速动作的新型磁存储器MRAM的基础元件，并实际验证了动作。该元件可兼顾迄今MRAM元件难以实现的小电流动作和高速动作。研究小组此次探讨了（c）在基板内磁化朝着电流平行方向（X轴方向）的构造。根据理论计算，设计出了材料和元件构造，并用微细加工技术，在硅基板上制作了纳米尺寸的元件……