日本文部科学省将启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。该项目的核心力量是2014年诺贝尔物理学奖得主——名古屋大学的天野浩教授领导的研发小组。项目为期5年，第一年（2016年度）的预算为10亿日元。此项目的特点是瞄准用途，回过头去做GaN的基础研究……