赛迪网讯12月28日消息，继2006年8月三星将80纳米制程的1GbDDRII标准型DRAM进入量产阶段后，27日三星又发布了针对手机与便携式装置推出的80纳米制程DDR存储器芯片，容量为1Gb，体积较前代产品薄20％，耗电量省30％。 三星预计在2007年第二季量产该产品，并预计届时市场上对1Gb容量的手机存储器芯片需求量将大幅增加。

　　据韩国DigitalDaily报道，三星表示，这款新产品将会使用在较高端的便携式应用方面，除了手机外，包括数码相机、随身多媒体播放器、掌上型游戏机等产品也能够搭载80纳米制程的存储器芯片。三星的作法能够加大便携式装置存储器容量，进而再推出单一封装高容量的1.5Gb、2Gb产品，并通过自动温度检测机制，调整耗电量程度以提高便携式装置的电力续航时间。

　　近来针对更高端制程存储器技术发展的消息比较多，日本Elpida就直接跳过80纳米制程，预计在2007年第一季先推70纳米制程的DDRII标准型DRAM芯片，之后也要推出针对手机、服务器平台的70纳米制程芯片。而另一家韩厂海力士则着手66纳米制程的开发，但是还没有确切的量产时间。