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三星电子大规模生产60纳米1G容量Nano DRAM |
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| 作者:未知 文章来源:赛迪网 点击数 更新时间:2007/3/5 11:15:46 文章录入:贯通日本语 责任编辑:贯通日本语 | ||
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| 赛迪网讯 3月5日消息,上周,韩国三星电子公开表示,已经开始大规模生产1G容量的60纳米技术Nano DRAM内存芯片。
据english.chosun.com报道,据公司透露,该产品在性能方面,要比上一代的80纳米产品高出40%之多。 三星电子公司宣布,计划将60纳米技术产品生产比例,从今年的6%,提高到明年的46%,从而顺利过渡向60纳米时代。(n104)
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