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日本松下和瑞萨将联合开发最尖端半导体

作者：未知 文章来源：新华网 点击数 更新时间：2007/7/27 20:37:38 文章录入：贯通日本语 责任编辑：贯通日本语
新华网东京７月２７日电（记者 刘浩远）据《日本经济新闻》最新报道，松下电器产业公司和瑞萨科技公司将联合开发新一代大规模集成电路（ＬＳＩ）制造技术，以降低开发费用，提高竞争力。 

    报道说，在新一代ＬＳＩ制造技术方面，日本国内逐步形成两大阵营竞争的格局。东芝、ＮＥＣ、富士通三家公司正在商讨联合开发事宜。松下和瑞萨加紧合作目的就在于同上述３家公司抗衡。 

    松下和瑞萨联合开发的是３２纳米半导体制造工艺，最早将在２０１０年前后实现批量生产。这两家公司将在年内正式达成协议，共同分担数百亿日元的开发费用，用两年左右时间完成开发，并在该技术基础上进入批量生产的准备阶段。 

    上述公司计划开发的３２纳米工艺领先于目前在半导体制造中处于尖端位置的６５纳米工艺。集成电路和存储器半导体的线路越细微，越能使电器产品趋向小型化，并提高产品性能。
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