日本东北大学2016年3月21日宣布,开发成功了可超高速动作的新型磁存储器MRAM的基础元件,并实际验证了动作。该元件可兼顾迄今MRAM元件难以实现的小电流动作和高速动作。研究小组此次探讨了(c)在基板内磁化朝着电流平行方向(X轴方向)的构造。根据理论计算,设计出了材料和元件构造,并用微细加工技术,在硅基板上制作了纳米尺寸的元件……
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