您现在的位置: 贯通日本 >> 资讯 >> 科技 >> 正文

日本东北大学,开发成功超高速小电流MRAM

作者:佚名  来源:nikkeibp.com.cn   更新:2016-3-25 8:08:06  点击:  切换到繁體中文

 

日本东北大学2016年3月21日宣布,开发成功了可超高速动作的新型磁存储器MRAM的基础元件,并实际验证了动作。该元件可兼顾迄今MRAM元件难以实现的小电流动作和高速动作。研究小组此次探讨了(c)在基板内磁化朝着电流平行方向(X轴方向)的构造。根据理论计算,设计出了材料和元件构造,并用微细加工技术,在硅基板上制作了纳米尺寸的元件……



 

新闻录入:贯通日本语    责任编辑:贯通日本语 

  • 上一篇新闻:

  • 下一篇新闻:
  •  
     
     
    网友评论:(只显示最新10条。评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!)
     

    注册高达赢取大奖!

    09年2月《贯通日本语》杂志

    《问题餐厅》聚焦女性话题 焦俊

    日本第11届声优大奖结果揭晓 演

    东野圭吾作品《拉普拉斯的魔女

    松岛菜菜子裙装造型 “美到令人

    广告

    广告