“第三届半导体内存研讨会（1月26～27日，日经微器件主办）”于日前开幕。在会议首日即26日，以手机内存技术的未来发展趋势为主题，共举行了7场演讲。 　　会议前半部分的演讲主要围绕闪存今后的发展方向。美国Web-Feet Research公司的首席执行官Alan Niebel对手机内存市场进行了预测。Alan预测说，工作内存市场的年增长率为10%，而存储器市场年增长率则可达200%；2009年在手机领域NAND型闪存的市场占有率可达NOR型的10倍以上。美国Spansion LLC公司副总裁Hans Wildenberg介绍了该公司的闪存战略。该公司将以“ORNAND”和“MirrorBit”为业务核心，通过MCP（多芯片封装）技术与其他公司拉开差距。美国英特尔副总裁Stefan K.Lai除介绍了该公司的内存战略外，还探讨了新型非挥发性内存的可实现性。新型内存方面，他预测说，到2010年后就有可能与闪存形成竞争，其中最有希望的是OUM（Ovonics Unified Memory）。意法半导体公司内存产品集团营销中心经理Philippe Berge介绍了该公司的NOR型闪存技术。他表示，NOR型将以它的高速性能和低耗电等优点，成为未来手机的重要组成部分。 　　会议后半部分的演讲主要围绕替代闪存的新型内存展开。韩国三星电子高级工程师、工艺改进小组内存公司的In-Gyu Baek介绍了该公司RRAM的开发情况，展示了急剧电阻变化原理和运行耐久性检测结果的相关数据。美国Matrix半导体公司首席运营官Siva Sivaram则介绍了该公司将开发的三维非挥发性内存的可实现性。目前，该公司已经投产间距为0.32μm的三维内存，计划在5年内将芯片集成度提高20度。美国Innovative Silicon公司首席技术官Pierre Fazan介绍了该公司采用SOI底板的SoC（系统级芯片）内存的开发情况。集成度分别可达采用现有CMOS工艺的DRAM和SRAM的2倍和5倍。

「第3回半導体メモリー・シンポジウム（1月26～27日，主催NIKKEI MICRODEVICES）」が開幕した。初日の26日は，携帯電話機向けメモリーの技術トレンドや将来予測をテーマに，7件の講演が行われた。 　前半のセッションでは，フラッシュ・メモリーの今後の展開に関する講演が行われた。米Web-Feet Research, Inc. CEOのAlan Niebel氏は，携帯電話機向けメモリーの市場予測について語った。今後，ワーク・メモリーは年率10％の伸びが予想されるのに対し，ストレージは年率200％の伸びになり，2009年にはこの分野でNAND型フラッシュ・メモリーの市場占有率がNOR型の10倍以上になるとの見方を示した。米Spansion LLC.,Corporate Vice PresidentのHans Wildenberg氏は同社のフラッシュ・メモリー戦略を語った。「ORNAND」や「MirrorBit」を核に，MCP（multi chip package）技術で他社との差異化を図っていくとする。米Intel Corp. Vice PresidentのStefan K. Lai氏は，自社のメモリー戦略に加えて，新型不揮発性メモリーの可能性について語った。新型メモリーに関しては，2010年以降にフラッシュ・メモリーの競合になる可能性があるとし，最も有望なメモリーとしてOUM（Ovonics Unified Memory）を挙げている。伊仏STMicroelectronics社Memory Product Group, Director of Central MarketingのPhilippe Berge氏は同社のNOR型フラッシュ・メモリー技術について語った。NOR型は，その高速性や低消費電力性などから，今後も携帯電話機の重要なコンポーネントになるとの見解を示した。 　後半のセッションでは，フラッシュ・メモリーに代わる新型メモリーに関する講演が行われた。韓国Samsung Electronics Co., Ltd. Senior Engineer, Process Development Team, Memory Division のIn-Gyu Baek氏は，同社のRRAMの開発状況を語り，巨大抵抗変化のメカニズムや動作耐久性の検証結果などについてのデータを示した。米Matrix Semiconductor社Chief Operating OfficerのSiva Sivaram氏は，同社が開発する3次元不揮発性メモリーの可能性について語った。現在，同社は0.32μmピッチの3次元メモリーを量産しており，今後5年間で集積度を20倍に高める計画であるという。米Innovative Silicon Inc. CTOのPierre Fazan氏は，SOI基板を使ったSoC（system on a chip）メモリーの開発状況について語った。既存のCMOSプロセスでDRAMに比べて2倍，SRAMに比べて5倍の集積度を実現できるという。