赛迪网讯 3月5日消息，上周，韩国三星电子公开表示，已经开始大规模生产1G容量的60纳米技术Nano DRAM内存芯片。 据english.chosun.com报道，据公司透露，该产品在性能方面，要比上一代的80纳米产品高出40％之多。 三星电子公司宣布，计划将60纳米技术产品生产比例，从今年的6％，提高到明年的46％，从而顺利过渡向60纳米时代。(n104) |
三星电子大规模生产60纳米1G容量Nano DRAM
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