日本北陆尖端科学技术大学院大学近日宣布，其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜，可具备半导体的性质，有望用于制造高速电子线路等。 

　　研究小组在2厘米长、1厘米宽的硅基板表面，覆盖上陶瓷薄膜，然后在特殊真空装置中将其加热到900摄氏度。于是，硅基板所含的硅元素就穿透陶瓷薄膜，出现在陶瓷薄膜表面，形成硅薄膜。如果将基板做得更大，就可以制作出更大面积的硅薄膜。