德国英飞凌科技与台湾南亚科技公司（Nanya Technology）面向利用300nm晶圆生产的新一代DRAM，日前联合开发出了一种采用沟道结构内存单元的70nm工艺技术。准备用于2007年开始量产的1Gbit及2Gbit产品的生产。“由此证明沟道单元也能实现70nm工艺的制造技术。此次开发的工艺技术具有良好的量产性”（英飞凌科技）。在2004年12月13日于美国旧金山召开的“2004年国际电子器件大会（2004 IEEE International Electron Devices Meeting，2004 IEDM）”上做了技术发表。 　　该技术的最大特点是：沟道电容器的绝缘膜首次采用了高介电常数（high-k）的Al2O3材料。由此增加了单元容量，从而就能缩小电容器的体积。除此之外，两公司此次还通过采用具有半球状晶粒外形的多晶硅材料（HSG）作单元的电极，增加了沟道电容器的表面积，从而进一步增加了单元容量。此次开发的内存单元的沟道电容器的长宽比为70：1。 　　英飞凌科技目前供应的绝大多数DRAM都是利用采用沟道电容器的110nm工艺技术生产的。目前，在整个业界的DRAM总产量中，约有25%使用的是沟道结构的内存单元。

ドイツInfineon Technologies AGと台湾Nanya Technology Corp.は，300mmウエハーで製造する次世代DRAMに向け，トレンチ構造のメモリ・セルを用いる70nm世代のプロセス技術を共同開発した。2007年に量産を開始する1Gビット品および2Gビット品の製造に適用する方針である。「トレンチ・セルでも70nm世代への微細化が可能なことを証明できた。今回開発したプロセス技術は量産性に優れる」（Infineon社）。2004年12月13日から米国サンフランシスコで開催されている半導体製造技術関連の国際学会「2004 IEEE International Electron Devices Meeting（2004 IEDM）」で発表した。 　最大の特徴は，トレンチ・キャパシタの絶縁膜として初めて高誘電率材料（high-k）のAl2O3を採用したこと。これにより，セル容量が増加し，結果，キャパシタの小型化が可能となる。これに加えて両社は今回，セルの電極として半球状の粒界を有する多結晶Si材料（HSG）を用いることなどで，トレンチ・キャパシタの表面積を増やし，セル容量のさらなる増大を図った。今回開発したセルにおけるトレンチ・キャパシタのアスペクト比は70：1である。 　Infineon社は，現在供給しているDRAMの大部分をトレンチ・キャパシタを使った110nm世代のプロセス技術で製造している。現時点で，業界全体のDRAM総生産量の内，約25％がトレンチ構造のメモリ・セルを利用しているという。