想不想让自己的存储设备容量不费吹灰之力就瞬间翻一番？这已经不是天方夜谭了，日本的一项最新研究成果就提供了这种看似不可能的可能。

据悉，日本研究人员已经开发出可以在磁性、非磁性状态之间来回切换快速的储存材料和装置，有可能将基于闪存存储的SSD、U盘的存储容量翻倍。

在磁存储设备里，一个磁性膜在各区域的磁化方向代表数据，而以二进制形式的电子存储装置里，数据存储在数百万个微型逻辑门内。

北海道大学的研究人员认为，如果存储材料可以在磁性、非磁性状态之间迅速切换，就有可能为现在的0/1形式存储的数据添加新的A/B存储形式，从而实现容量翻番。

为此，他们首先研发了过渡金属氧化物作为存储材料，因为它们获得或失去氧化物离子的时候，可以在非磁性不导电状态、高导电性金属磁体状态之间切换。

不过，获得或失去氧化物离子需要高温加热，或者采用容易泄露的液体碱性电解质。

最终，研究人员找到了新的方法，将钽钠薄膜铺在锶氧化钴表面，施加3A的电流，2-3秒它就从绝缘状态切换到了金属磁体状态，施加反向电流则可以切换回绝缘状态。

如果将这种装置进一步微型化，并降低切换所需时间，就有望投入商业应用。