功率半导体问世于80年代，起初较多用于工厂和成套设备，但从混合动力车增加的1990年代后半期开始，功率半导体不断应用于汽车。原因在于电动马达的控制需要使用逆变器。

长久以来日本及欧洲企业在功率半导体的高性能化方面居于领跑位置，法国调查公司Yole Développement的统计显示，2019年全球功率半导体的市场规模接近190亿美元元。预计到2025年将扩大至220亿美元。德国英飞凌科技公司是最大的功率半导体企业，在全球拥有约2成份额。在日本企业中，三菱电机、富士电机、东芝和罗姆等跻身前十。

日本经济新闻撰文认为，在纯电动汽车（EV）等的核心零部件“功率半导体”开发方面，日本企业正展开激烈竞争。与中韩企业具备优势的存储器不同，功率半导体的源头是面向电力企业的工业设备等技术。因此，东芝和三菱电机等日本重型电机设备企业掌握很高的全球份额。在此背景下，属于中型企业的富士电机也在高性能化竞争中显示出存在感。

日本经济新闻表示日本企业在功率半导体领域具备优势的原因，主要是富士电机和东芝等一直在开发向电力企业供应的送配电设备和用于铁路车辆的马达及电力转换设备等。通过自主生产这些工业设备使用的功率半导体，在竞相推进节能的过程中，自主发展了功率半导体技术。

以富士电机为例，富士电机在被称为IGBT的功率半导体领域具有优势。这是一种能高速切换开关的器件，用于逆变器等，被混合动力车和纯电动汽车所采用，富士电机在IGBT模块领域排在全球份额第3位。目前，富士电机的功率半导体业务有35％是面向汽车。该公司认为随着全球推进汽车电动化，到2023年度这一比例将提高至近5成。

虽然日本在功率半导体的高性能化方面目前具有领跑地位，不过日本经济新闻也表示了担忧。特别是在IGBT等领域，中国企业也在提升实力。日本企业的优势地位并非绝对。作为对抗海外企业的手段而受到关注的是能进一步减少电力损耗的采用碳化硅的功率半导体。碳化硅是由硅和碳构成的化合物半导体的材料。据悉其结合力强于硅，并且很耐热。

IGBT

与硅材料的半导体芯片相比，碳化硅芯片在电力转换过程中的电力损耗减少6成左右。由于芯片的电力损耗较少，能实现模块的小型化，这是主要优点。减少多余的容量还有助于纯电动汽车电池的小型化。

中国企业正在加快功率半导体的国产化。日本的各家企业在供货实绩和技术实力上领先，但在包括中国在内的世界市场，成本竞争加强的局面或将难以避免。

SMBC日兴证券的分析师吉积和孝表示，“与需求波动大的存储器等不同，功率半导体的需求有望保持稳定，设备投资风险相对较低。应当积极推进投资”。富士电机等日本国内企业的投资战略将左右日本今后是否仍是“功率半导体大国”。