台积电(TSMC)日前宣布，将在业界首次采用可承受工作电压为40V的0.18μm工艺进行生产。主要面向手机和便携式设备，可实现单芯片LCD驱动。 　　采用该工艺，就可以在1.8V电压下运行的内部电路内，增加5V和40V的驱动电路。这样一来，就可将LCD源驱动/门驱动IC和功率控制器电路IC集成在一个芯片中。或者将图形控制器和TFT/CSTN驱动集成在一个芯片中。 　　在1.8V下工作的内部电路与台积电的0.18μm低电压工艺具有兼容性。也就是说，可直接使用面向0.18μm低电压工艺的电路库和IP。此外，还采用此次支持40V的0.18μm工艺进行了以单晶圆试制多个芯片的“Cybershuttle”。另外，台积电还计划在2005年推出可实现OTP（One-Time Programmability）和MTP（Multiple-Time Programmability）的IP。OTP和MTP无需增加工序即可实现。

台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.）は，動作電圧40Vに耐える0.18μmプロセスでの量産を業界で最初に開始したと発表した。携帯電話機や携帯型機器に向けた，1チップのLCDドライバが実現可能になる。 　このプロセスを使うと，1.8Vで動作する内部回路に，5Vと40Vのドライバ回路を混載できる。これで，LCDソース・ドライバ/ゲート・ドライバICと，パワー・コントローラ回路ICを1チップに集積可能になる。あるいは，グラフィクス・コントローラとTFT／CSTNドライバを１チップに集積したりできる。 　1.8Vで動作する内部回路は，TSMCの0.18μm低電圧プロセスと互換性がある。すなわち0.18μmの低電圧プロセス向けの回路ライブラリやIPがそのまま使える。また，複数チップを１ウエーハで試作する「Cybershuttle」を今回の40V対応の0.18μmプロセスでも実施する。さらに，2005年にはOTP（one-time programmability）化やMTP（multiple-time programmability）化を可能にするIPを準備する計画。OTP化もMTP化も，プロセス・ステップの追加なしで実現できるとする。