日立制作所与瑞萨科技共同开发出了可同时减小PRAM的写入电流和特性变动的工艺。主要用于取代微控制器中混载的闪存，目标是3～4年内达到实用水平。两公司的目标是2010年前后使新PRAM达到实用水平。PRAM的开发商中，韩国三星电子将于08年左右投产旨在取代NOR型闪存的单个存储器。由于与单个存储器相比，混载需要与逻辑部分的特性相配合，因此“投产的难度还很大”（瑞萨）。
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