OFweek半导体照明网：据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO（氧化锌）类紫外LED的发光强度提高到了100μW，为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。

        东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示，此项成果明确了追赶GaN类产品的前进道路。

        据了解，制造LED元件时采用了MBE（分子束外延）法，并开发出了不使用自由基化气体的掺杂（Doping）法。这样，“有望采用量产性更高的MOCVD（有机金属气相沉积）法”。目标用途是用于液晶显示器的背照灯及照明灯的白色LED。这是由东北大学的川崎、东北大学金属材料研究所、东北大学多元物质科学研究所及罗姆共同取得的研究成果。

        研究小组表示，采用紫外LED的白色LED，与搭配使用蓝色LED与黄色荧光体的InGaN及GaN类白色LED相比，有望提高演色性及色再现性。另外，该小组还称，制造GaN类LED时很难采购到高品质的低价单晶底板，但ZnO类LED可轻松合成单晶底板。因此，有望以较低的成本量产采用单晶底板的LED元件，这种底板可使发光层与网栅轻松匹配。