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美光延迟日本广岛新厂投资计划

作者:佚名  来源:diodelaser.com.cn   更新:2019-6-24 14:29:47  点击:  切换到繁體中文

 

根据日本媒体《日刊工业新闻》报导,美国存储器大厂美光(Micron)延迟了在日本广岛的新厂投资计划。


据了解,美光位于日本广岛的DRAM工厂(Fab 15)采用的是最先进制程技术。其中,该厂最新的生产厂房B栋已于本月初落成启用,其无尘室的面积较原先扩大了10%。美光还计划进行新一代DRAM的生产,以缩小与DRAM产业龙头三星的差距。


以2019年第1季的全球DRAM市场占有率来看,全球三大厂中,三星的DRAM市场占有率为42.7%,SK海力士则以29.9%排名第二,美光市占率在23%位居第三。


报导指出,美光在日本广岛的工厂实际上是在2012年买下尔必达(Elpida)后纳入旗下的,原计划在2019年中期在该厂展开1z纳米制程的下一代DRAM生产。


美光曾表示,将在今后数年内于广岛工厂投资数十亿美元,发展新一代DRAM存储器的生产。不过,据传该厂已动工的F栋厂房部分扩建,原本预计在2020年的7月份完成兴建,如今已经延迟到2021年的2月份,足足向后延迟了7个月的时间。


之前,市场调查研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)此前研究指出,受到贸易摩擦的影响,个别禁售事件可能对全球智能手机及服务器产品总体出货量造成阻碍,并将冲击下半年DRAM产品的旺季需求与价格落底时间。因此,下修第3季DRAM价格展望,跌幅由原先预估的10%,扩大至10~15%。


TrendForce还表示,全球贸易摩擦升温恐致今年下半年需求急冻、不确定性氛围提高,使得资料中心的资本支出放缓,预计在今年年底前,承压能力差的DRAM供应商恐怕将认列账面上现有库存损失,财务报表正式转为亏损状况。



 

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