天极网3月12日消息(羽人 编译)据外电报道，日本《朝日新闻》周六报道称，东芝计划在日本建造另一座闪存厂，以便更好地与三星电子展开竞争。该报称，东芝可能要斥资数千亿日元来打造这座新厂，该厂建成后将是东芝的第二座闪存厂。

　　东芝目前位居三星之后，为全球第二大NAND闪存芯片制造商，这种芯片广泛应用于数码相机和便携式音乐播放器中，如苹果公司热卖的iPod nano产品。

　　此前，《日本经济新闻》曾报道说，东芝与其合作伙伴SanDisk Corp.将共同投资5000亿日元(约合42.3亿美元)在日本西部的四日市生产基地兴建一座新闪存厂，该厂最早将于2007年投产。之后，东芝表示将继续扩大投资以提高NAND产能，不过建厂事宜目前还没有决定。

　　东芝管理层没有立即对《朝日新闻》的报道发表评论。市场调研公司iSuppli预计到2009年，NAND闪存市场的规模将增长140%，达261亿美元。这个强劲的增长预期推动了全球包括英特尔在内的一些领先芯片制造商在最近几个月内纷纷进军该市场，并在产品性能上展开竞争。

　　东芝计划在截止3月31日的本财年内对半导休领域进行创纪录的2890亿日元的投资。公司在微芯片及其他业务领域的积极投资策略引起了投资人的关注，因为这些投资举措可能最终会影响他们的股票收益。(完)(作者  羽人)