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IBM开发新型半导体材料 闪存速度将提高500倍

作者:未知  来源:CNET   更新:2006-12-12 10:46:04  点击:  切换到繁體中文

 

来源:CNET

  CNET科技资讯网12月12日国际报道 IBM和两家合作伙伴的科学家已经开发出一种新型材料,他们认为这将催生新型的内存芯片,满足日益增长的存储数字音乐、图像、视频的需求。

  本周一,IBM 以及Qimonda 和Macronix的研究人员将在国际电子设备会议上宣读阐述这一技术的论文。
研究人员已经利用生产CD、DVD 等的材料研制出了一种半导体合金。

  IBM 、Qimonda 、Macronix并非在研制闪存替代品的唯一机构,英特尔和意法半导体也在联合研发相关技术。

  三星推出了容量为512 兆位的原型产品,并计划在2008年推出商业性产品;英特尔已经展示了128 兆位的原型产品,并计划在2007年推出产品。

  IBM 的科学家说,他们的技术具有重要意义,因为与其它厂商在原型产品中使用的材料相比,他们的新材料具有性能优势。如果这一技术的制造成本足够低,它将在186 亿美元的闪存市场上催生一个新的竞争对手。

  IBM 表示,尽管已经退出了内存制造业务,它对能够改进企业计算体验的技术非常感兴趣。更快的非易失性内存能够改变IBM 的微处理器设计,提高基本操作的速度。

  据IBM Almaden Research Center 的高级经理Spike Narayan 说,新的内存技术可能被添加到未来一代的IBM Power PC微处理器中。

  据科研人员称,这种新材料的优点是,由它制成的开关的速度比目前的闪存芯片快500 倍。他们开发成的原型开关只有3 纳米高、20纳米宽,这使得该技术的尺寸能够被进一步缩小。

  目前的闪存芯片的存储容量达到了320 亿兆位,但是,闪存芯片厂商要想继续缩小芯片尺寸会遇到更多的问题。

  业界官员表示,在目前的半导体技术似乎“山穷水尽”之际,这种新材料会刺激计算机和消费电子产业的发展。


 

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