CNET科技资讯网2月15日国际报道：本周三，IBM公布了一种在处理器上集成内存的新方法。它认为这将极大地提高芯片的性能。

　　从明年的0.045微米工艺开始，IBM将在处理器上集成嵌入DRAM而不是SRAM，使处理器上的内存数量增长2倍。 IBM负责0.045微米工艺开发的主管苏布说，IBM计划在国际固态电路会议（ISSCC）上公布这一成果。

　　现代的处理器都集成了缓存，这使得芯片能够在靠近CPU非常近的地方存储经常使用的数据，提高对这些数据的访问速度。多年来，芯片厂商一直在处理器上使用SRAM，但是，随着芯片越来越小，SRAM已经不能满足芯片的需求。问题在于泄露电流，设计人员将目光转向了嵌入DRAM，它要求死里逃生的晶体管，而且不大容易泄露电流。

　　苏布表示，问题是，目前还没有一家厂商解决在SOI工艺中使用嵌入DRAM的问题。IBM在Power 5等芯片中使用了SOI工艺，在Blue Gene处理器等芯片中使用了嵌入DRAM，但IBM还没有能够将二者结合起来。苏布表示，IBM计划在ISSCC上公布这一突破。

　　苏布说，采用IBM的0.045微米工艺制造的处理器将是首批利用嵌入DRAM的产品，这类处理器计划在2008年上市销售。IBM计划在这类处理器上集成24-48MB缓存。相比之下，计划于今年晚些时候上市销售的Power 6集成有8MB缓存。

　　英特尔已经公布了SRAM之外的其它缓存技术━━浮点单元。英特尔的Montecito版安腾芯片集成有24MB缓存。