在U盘价格还是高高在上的时候，一些山寨作坊利用软件将U盘实际容量大幅扩容，结果就是写入错误、数据丢失等问题。不过近日来自日本的研究人员已经找到了一种新的U盘扩容方式，只需切换NAND闪存存储设备的磁性和非磁性状态，就可以轻松实现存储设备容量的翻倍。

虽然目前来看SSD等存储设备价格已经非常亲民，大有取代HDD之势，不过单位GB的价格目前来看SSD还是要高出数倍，日本北海道大学的研究人员的新发明显示，在磁存储设备里，一个磁性膜在各区域的磁化方向代表数据，而以二进制形式的电子存储装置里，数据存储在数百万个微型逻辑门内。如果存储材料可以在磁性、非磁性状态之间迅速切换，就有可能为现在的0/1形式存储的数据添加新的A/B存储形式，从而实现容量翻番。

日本北海道大学的研究人员首先研发了过渡金属氧化物作为存储材料，因为它们获得或失去氧化物离子的时候，可以在非磁性不导电状态、高导电性金属磁体状态之间切换。不过，获得或失去氧化物离子需要高温加热，或者采用容易泄露的液体碱性电解质。

最终，研究人员找到了新的方法，将钽钠薄膜铺在锶氧化钴表面，施加3A的电流，2-3秒它就从绝缘状态切换到了金属磁体状态，施加反向电流则可以切换回绝缘状态。如果将这种装置进一步微型化，并降低切换所需时间，就有望投入商业应用。

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