日本文部科学省将启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。该项目的核心力量是2014年诺贝尔物理学奖得主——名古屋大学的天野浩教授领导的研发小组。项目为期5年，第一年（2016年度）的预算为10亿日元。此项目的特点是瞄准用途，回过头去做GaN的基础研究……
日媒：天野之弥或将连任国际原子能机构总干事诺奖得主大隅良典出身学术世家 曾获日本学士院奖日本专家谈诺奖：彼之秘诀正是我之所缺大隅良典称将用诺奖奖金设立科研基金日本诺奖获得者大隅良典出席晚宴 欲设基金支持研究人员日本诺奖“井喷”对我国的启示日本如何实现“诺贝尔奖计划”？日本如何实施“诺贝尔奖计划”
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