日本东京工业大学教授细野秀雄与日本科学技术振兴机构（JST）组成的一个联合研究项目，日前使用开关特性（Switching Behaviour）比非晶硅与有机半导体还要高10多倍的半导体材料，成功地开发出了可弯曲的TFT。设想在业界正在广泛进行研发的可弯曲显示器领域，应用于开关像素的元件中。开关特性如若得到提高，就能将TFT设计得更小，就能提高TFT的驱动能力。比如，如果能缩小TFT的尺寸，就能提高液晶面板的分辨率。利用TFT电流驱动能力的提高，就更容易使有机EL面板发光。东京工业大学与JST已经将此次的研究成果发表在11月25日出版的英国《自然》科学杂志上。 　　先在塑料底板上形成非结晶状态的InGaZnO4材料，通过将其作为TFT的活性层来使用，在TFT状态下使作为开关特性指标的载流子迁移度达到了10cm2/Vs。非晶硅的载流子迁移度为1cm2/Vs左右，很多报告称有机半导体的载流子迁移度也与此差不多。 　　在弯曲状态下对此次开发的TFT电气特性进行了测定，即使弯曲到曲率半径30mm左右，TFT仍可正常工作，而不会受到破坏。弯曲状态下的源漏极电流尽管多少比弯曲前低一些，不过从弯曲状态复原后，电流就会得到恢复。对于在TFT遭到破坏之前能够弯曲多少次，计划今后进行测试。

東京工業大学 教授の細野秀雄氏と科学技術振興機構（JST）の共同研究プロジェクトは，スイッチング特性をアモルファスSiや有機半導体よりも10倍以上高い半導体材料を使い，曲げられるTFTを開発した。現在，研究開発が盛んな曲げられるディスプレイにおいて，画素をスイッチングする素子などへの応用を想定する。スイッチング特性の向上によってTFTを小型化したり，TFTの駆動能力を高めたりできる。例えば，TFTを小型化すれば液晶パネルの解像度を高められる。TFTの電流駆動能力が高まったことを利用すれば，有機ELパネルを発光しやすくできる。東京工業大学とJSTは，今回の研究成果を英国の科学雑誌「Nature」の11月25日号に発表した。 　プラスチック基板上にアモルファス状態のInGaZnO4材料を形成しTFTの活性層として使うことで，スイッチング特性の指標となるキャリヤ移動度をTFTの状態で10cm2/Vsとした。アモルファスSiのキャリヤ移動度は1cm2/Vs程度であり，有機半導体のキャリヤ移動度も同程度の報告例が多かった。 　今回のTFTの電気特性を曲げた状態で測定したところ，曲率半径30mm程度に曲げてもTFTは破壊することなく動作した。曲げた状態のソース・ドレイン間電流は曲げる前に対して多少低下するものの，曲げた状態から元の状態に戻すと回復するという。TFTが破壊するまでに繰り返し何回曲げられるのかについては，これから評価する予定。